您所在的位置 > 首页 > 产品 > 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

 

隐藏
>> 全部分类

热销产品

最近浏览产品

您还没有浏览任何产品

清空历史记录

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-247

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

650

最大漏源电流ID（A）: 不限

80

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

40

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

33

产品关键字: 不限

CPW65R040T4
已选条件: TO-247 N-channel 80 40 CPW65R040T4 [ 共找到 1 款产品 ]
重新筛选